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HS-phys-SimPLe半導體晶片內(nèi)部缺陷檢測系統(tǒng)



產(chǎn)品介紹
HS-phys-SimPLe半導體晶片內(nèi)部缺陷檢測系統(tǒng)是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍寶石等半導體晶片及晶環(huán)生產(chǎn)過程中以極高的分辨率探測晶片和晶環(huán)的內(nèi)部滑移線、內(nèi)部隱裂等內(nèi)部缺陷檢測的儀器

檢測原理是：HS-Phys-SimPLe系統(tǒng)是一種高分辨率光致發(fā)光（PL）掃描映射系統(tǒng)，用于表征直徑高達400mm的半導體晶片。使用專門設計的高強度激光源來激發(fā)半導體材料中的少子載流子。
 
三種類型復合載體：SRH（Shockley-Read-Hall）深能級復合，Auger俄歇復合和Radiative輻射復合。在較低注入水平下，Auger俄歇復合可以忽略不計，因此“清潔”區(qū)域由輻射控制，而污染區(qū)域主要由SRH深能級復合控制。由于結(jié)晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點，具有較低的輻射發(fā)射。因此可以通過PL技術將其可視化。



產(chǎn)品特點
■ 直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查
■ 60μm分辨率下的滑移線檢測
■ 更多波長可供選擇
■ 檢測速度：12英寸-13分鐘，8英寸-5分鐘
■ 利用優(yōu)化的波長和過濾進行PL滑移線檢查，可以發(fā)現(xiàn)制程中尚未發(fā)現(xiàn)的問題
■ 顯示更小的滑移線等內(nèi)部缺陷。
■ 自動晶圓探測器
■ 自動參數(shù)設置
■ 即使在低信號采樣上也具有高分辨率和高對比度



技術指標：
■ 主要探測：半導體級硅晶片/環(huán)，光伏硅片，碳化硅晶片，藍寶石晶片等半導體晶片/環(huán)
 
■ 檢測時間：
■cca.5分鐘/8英寸晶圓
■cca.13分鐘/12英寸晶圓
 
■成像系統(tǒng)：
■0.4mm分辨率的近紅外InGaAs探測器
■高靈敏度溫控FPA
 
■激光系統(tǒng)： 
■1級高功率近紅外激光系統(tǒng)
■外殼上有冗余聯(lián)鎖
■警示燈
■軟件聯(lián)鎖
■TEC溫度穩(wěn)定，采用閉路水冷卻
■滿功率時溫度穩(wěn)定性在2攝氏度以內(nèi)
 
■激光控制：電腦控制電源，帶有集成PID溫度控制器。
 
■參考系統(tǒng)的少子壽命精度：<5%（若校準）
 
■重復性：<5%
 
■機器對機器系數(shù):校準后<3%
 
■ 尺寸：1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mm
 
■ 重量：270kg
 
■合規(guī)：CE、RoH
 
 

 
典型用戶
 
聯(lián)電、綠能科技、臺積電等半導體龍頭企業(yè)