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拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑 

■ 鎵摻雜是目前太陽(yáng)能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝

■ 拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率

■ 即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。

■ 鎵摻雜成本低，簡(jiǎn)便可行，每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑


什么是拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑？

■ 鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱(chēng)為Gallium,簡(jiǎn)稱(chēng)Ga。鎵質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無(wú)毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。



為什么用拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑？

■ 鎵摻雜是目前太陽(yáng)能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝

■ 拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率

■ 即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。

■ 鎵摻雜成本低，簡(jiǎn)便可行，每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑

■ 用鎵摻雜拉出單晶棒縱向電阻率變化不是很大，硅片上徑向電阻率變化≤20%，由于鎵的分凝系數(shù)較小，只有0.008，尾部電阻率偏低一些，但這部分切的硅片并不是很多。可想而知，在當(dāng)前通用工藝條件下，拉晶摻鎵硅片既可以享受由低電阻率條件制作較高效太陽(yáng)能電池之利，又全無(wú)光致衰減帶來(lái)的光電轉(zhuǎn)換效率降低的煩惱，是一種非常理想的全新選擇。



鎵摻雜劑的計(jì)算公式： 

■ X為摻入高純鎵的質(zhì)量

■ M——鎵的原子量

■ NA——阿伏加德羅常數(shù)

■ W——投爐硅的質(zhì)量

■ D——硅的密度

■ C——熔硅中的Ga濃度即CL0度


 



我們的產(chǎn)品：拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑 

■ 我司提供進(jìn)口拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑，包括以下品種：

■ 7N拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑

■ 8N拉單晶專(zhuān)用鎵摻雜劑 

■ 其它鎵摻雜劑，歡迎來(lái)電咨詢(xún)



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江蘇，浙江，廣東，北京,湖南，內(nèi)蒙古，河南等地的 CZ 拉晶及鑄錠客戶(hù)。